TCXO Temperature Compensated Crystal Oscillators 溫補晶振
TCVCXO Temperature
Compensated Voltage Controlled Oscillators
溫補壓控晶振
一、應(yīng)用
通訊、航空、航天、**、移動通信、數(shù)字程控交換機、網(wǎng)絡(luò)傳輸、接入網(wǎng)、光傳輸、雷達、導(dǎo)航、電子對抗、無線通信、測試設(shè)備、鎖相環(huán)電路SDH、SONET、ATM、WLL、PCS基站、蜂窩基站、頻率合成器
二、主要技術(shù)指標(biāo)
1)Frequency Range 頻率范圍:1.00-80.00MHz
2)Initial Calibration 頻率準(zhǔn)確度: A ≤±1.0ppm
@25℃ B ≤±0.5ppm @25℃
3)Frequency Adjustment 頻率調(diào)整:
1 Ageing adjustment: ≥ ±5ppm
2 No frequency adjustment
4)Operating Temperature 工作溫度范圍: C -20-+70℃ D
-40-+85℃
E -55-+105℃
5)Frequency Stability 溫度頻率穩(wěn)定度:F ±0.28ppm G ±0.5ppm H ±1.0ppm
I ±1.5ppm
J ±2.0ppm K ±2.5ppm
6)Output Waveform 輸出波形: 1 Sine 正弦波 2
Hcmos 方波 3 Clipped Sine 削峰正弦波
7)Supply Voltage 工作電壓范圍: L 3.3V±10% M 5.0V±10%
8)Ageing 頻率老化率: ±1ppm maximum
in first year,±3ppm maximum for 10 years
9)Phase Noise 相位噪聲:
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Frequency
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10Hz
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100Hz
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1kHz
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10kHz
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100kHz
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13.0MHz
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–95 dBc/Hz
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–120dBc/Hz
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–135dBc/Hz
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–140dBc/Hz
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–145dBc/Hz
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10)Package Outline 封裝、尺寸:
N DIP 21*13*5mm O DIP 18*12*5mm P DIP
20*20*10mm Q DIP 36*27*16mm
R SMD 5*3*1mm S SMD7*5*2mm T
SMD 9*7*3mm U SMD 14*9*6mm
11)Storage Temperature 儲存溫度范圍： -55-+125℃
三、產(chǎn)品定型 RTT-10MHZ-B 2 D G 1 M S
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頻率
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準(zhǔn)確度
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頻率調(diào)整
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溫度范圍
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穩(wěn)定性
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波形
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電壓
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尺寸
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RTT
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10
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B
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2
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D
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G
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1
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M
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S
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RTT
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10MHZ
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±0.5ppm
@25℃
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No frequency adjustment
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-40-+85
℃
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±0.5ppm
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Sine
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5.0V
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SMD 7*5*2mm
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溫補晶振技術(shù)選型規(guī)格書
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Temperature Compensated Crystal Oscillators 溫補晶體振蕩器
Temperature Compensated Voltage Controlled Oscillators 溫補壓控晶體振蕩器
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Product Name
產(chǎn)品系列
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TCXO-RTT TCVCXO-RTTV
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1、Frequency Rang 頻率范圍
Qscillation State 振蕩狀態(tài)
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1-200MHz
Fundamental 基頻
Overtone 泛音
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2、Standard Freq
標(biāo)準(zhǔn)頻率
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2.5MHz,3.2MHz,4.608MHz,4.096MHz,5MHz,5.12MHz,6.4MHz,
6.5MHz,6.72996MHz,
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8.192MHz,9.216MHz,10MHz,10.24MHz,12MHz,12.24MHz,12.288MHz,12.8MHz,13MHz,14.4MHz,14.7456MHz,14.85MHz,16MHz,
16.32MHz,16.368MHz
,16.384MHz,16.8MHz,17MHz,18.432MHz,19.2MHz,19.44MHz,19.68MHz,19.7985MHz,19.8MHz,20MHz,
20.46MHz,20.48MHz,20.82857MHz,24MHz,24.576MHz,25MHz,25.6MHz,26MHz,26.451788MHz,27MHz,29.952MHz,32MHz,
32.768MHz,33MHz,36.864MHz,38MHz,38.88MHz,40MHz,50MHz,61.44MHz,77.76MHz,100MHz,120MHz,122.88MHz
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3、Package Outline
封裝尺寸
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1 SMD21*13 2 SMD14*9 3 SMD11*9 4 SMD9*7 5 SMD7*5 SMD5*3.2
7 SMD3*2.5
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8 SMD2.5*2 9 DIP21*13 10 DIP18*12 11 DIP20*20 12 DIP36*27 13
DIP13*13 14 DIP18*11*9 15 DIP21*13*7
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4、Freq Adjustment 頻率調(diào)整范圍
Control Voltage 壓控電壓范圍
Mechanical trim 機械微調(diào)范圍
Slope 極性
Linearity 線性度
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1 Voltage trim ≥ ±5ppm
2 Mechanical trim ≥ ±5ppm
3 Fixed TCXO,No adjustment
Positive
±10%
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5、Calibration
基準(zhǔn)初始準(zhǔn)確度
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A±0.5ppm B±1.0ppm C±1.5ppm D±2.0ppm E±2.5ppm @25℃
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6、Operating Temp 工作溫度范圍
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A 0-+50℃ B-10-+70℃ C-20-+70℃ D-30-+85℃
E -40-+85℃ F -55-+85℃
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7、Freq Stability 頻率溫度穩(wěn)定度
電壓特性
負(fù)載特性
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A±0.1ppm B±0.2ppm C±0.28ppm D±0.3ppm E±0.4ppm F±0.5ppm
G±0.9ppm H ±1.0ppm
I±1.5ppm J ±2.0ppm
K±2.5ppm L±5ppm
M±10ppm 1ppb=1/1000ppm
1ppm=1/1000000
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8、Output Waveform
輸出波形
Output Level
輸出幅度
Output Load
輸出負(fù)載
Harmonic attenuation 諧波抑制
Noise attenuation 雜波抑制
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1 正弦波（Sine）：諧波抑制（Harmonic attenuation）、
雜波抑制（Noise attenuation ）、負(fù)載（Load）、輸出幅度（Output level）
2 削峰正弦波（Clipping Sine）：負(fù)載（Load）、輸出幅度（Output level）
3 方波（Square）：分為MOS和TTL輸出 負(fù)載（Load） 占空比（Duty cycle）
上升/下降時間（Rise/fall time）、高低電平（“1” and “0” level）。
優(yōu)于30dBc
優(yōu)于80dBc
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9、Supply Voltage
工作電壓
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A 1.8V B 2.6V C 2.8V D3.0V E 3.3V F 5.0V
G 12V H 15V
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10、Current Consumption 電流功耗
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< 1.5 mA < 2.0 mA < 3.0 mA
< 4.0 mA
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11、Phase Noise
相位噪聲
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≤15MHz
15-26MHz
>26MHz
-115dBc/Hz@100Hz
-110dBc/Hz@100Hz -105dBc/Hz@100hz
-135dBc/Hz@1KHz
-130dBc/Hz@1KHz -125dBc/Hz@1Khz
-145dBc/Hz@10KHz
-140dBc/Hz@10KHz -135dBc/Hz@10Khz
-145dBc/Hz@100KHz -145dBc/Hz@100KHz
-145dBc/Hz@100Khz
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12、Ageing
年老化率
日老化率
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±1ppm maximum in first year,±3ppm maximum
for 10 years
±5X10-9/d
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13、Storage Temp
存儲溫度
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A -40-+85℃ B -55-+95℃ C -55-+125℃
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14、Environmental
使用環(huán)境
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商業(yè)級 工業(yè)級 普軍級 彈載 機載 星載
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15、Part Number
產(chǎn)品型號
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RTT-10MHZ 53AGF1FC RTTV-20MHZ 51BGF2EC
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TCXO,10MHZ,SMD7*5*2mm,Fixed
TCXO,No adjustment,calibration ±0.5ppm,-40-+85℃,Stability±0.5ppm,Sine,
5.0V,
storage temperature -55-+125℃ TCVCXO,20MHZ,SMD7*5*2mm,Frequency
adjustment,Voltage trim ±5ppm,calibration
±1ppm,-40-+85℃,Stability ±0.5ppm,Hcmos, 3.3V, storage temperature -55-+125℃
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